MJW0302AG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

260 V

Collettore-tensione di base VCBO:

260 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

15 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

30 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Altezza:

21.08 mm (Max)

Lunghezza:

16.26 mm (Max)

Larghezza:

5.3 mm (Max)

Marca:

ON Semiconductor

Guadagno base/collettore DC hfe min:

75

Pd - Dissipazione di potenza:

150000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

1.340411 oz

Tags

MJW03, MJW0, MJW