MPSH10RLRA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

N

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

25 V

Collettore-tensione di base VCBO:

30 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

3 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.5 V

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

650 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Altezza:

5.33 mm (Max)

Lunghezza:

5.2 mm (Max)

Confezione:

Bobina

Larghezza:

4.19 mm (Max)

Marca:

ON Semiconductor

Guadagno base/collettore DC hfe min:

60

Pd - Dissipazione di potenza:

350 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

transistor

Tags

MPSH10RL, MPSH10R, MPSH10, MPSH1, MPSH, MPS