NE685M33-T3-A

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

CEL

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari RF

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

Bipolare

Tecnologia:

si

Polarità del transistor:

NPN

Emettitore-tensione di base VEBO:

2 V

Corrente continua del collettore:

0.03 A

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Configurazione:

Separare

Collettore-tensione di base VCBO:

9 V

Guadagno di corrente CC hFE Max:

75 at 10 mA at 3 V

Frequenza operativa:

12000 MHz (Typ)

Tipo:

Segnale bipolare RF di piccole dimensioni

Marca:

CEL

Pd - Dissipazione di potenza:

130 mW

Tipologia di prodotto:

Transistor bipolari RF

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

transistor

Tags

NE685M3, NE685M, NE685, NE68, NE6