BTS282ZE3180AATMA2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-7

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

49 V

Id - Corrente di scarico continua:

36 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

6.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.6 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

155 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

300 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Altezza:

4.4 mm

Lunghezza:

10 mm

Serie:

BTS282

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

9.25 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

30 S

Tempo di caduta:

36 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

37 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

70 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

30 ns

Parte # Alias:

BTS282Z E3180A SP000910848

Unità di peso:

0.056438 oz

Tags

BTS282ZE3180AA, BTS282ZE31, BTS282ZE, BTS282Z, BTS28, BTS2, BTS