2N2369ADCSM

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Elettronica TT

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

15 V

Collettore-tensione di base VCBO:

40 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

4.5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

200 mV

Corrente massima del collettore CC:

200 mA

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

120 at 10 mA, 350 mV

Confezione:

Massa

Marca:

Semelab / TT Electronics

Guadagno base/collettore DC hfe min:

40 at 10 mA, 350 mV

Pd - Dissipazione di potenza:

360 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

2N2369A, 2N2369, 2N236, 2N23, 2N2