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MSD601-ST1G

MSD601-ST1G
Mfr. #:
MSD601-ST1G
Produttore:
ON Semiconductor
Descrizione:
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
MSD601-ST1G Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
MSD601-ST1G Datasheet
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
ON Semiconductor
Categoria di prodotto:
Transistor bipolari - BJT
RoHS:
Y
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
SC-59-3
Polarità del transistor:
NPN
Configurazione:
Separare
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:
50 V
Collettore-tensione di base VCBO:
60 V
Emettitore-tensione di base VEBO:
7 V
Corrente massima del collettore CC:
0.1 A
Temperatura di esercizio minima:
- 55 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Altezza:
1.09 mm
Lunghezza:
2.9 mm
Confezione:
Bobina
Larghezza:
1.5 mm
Marca:
ON Semiconductor
Guadagno base/collettore DC hfe min:
290
Pd - Dissipazione di potenza:
200 mW
Tipologia di prodotto:
BJT - Transistor bipolari
Quantità confezione di fabbrica:
3000
sottocategoria:
transistor
Unità di peso:
0.000282 oz
Tags
MSD601-ST, MSD601-S, MSD601, MSD60, MSD6, MSD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin SC-59 T/R
***i-Key
TRANS NPN 50V 0.1A SC59
***ark
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 50V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:50V; Power Dissipation, Pd:200mW; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):0.5V; Continuous Collector Current, Ic:0.1A ;RoHS Compliant: Yes
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
MSD601-ST1G
DISTI # MSD601-ST1GOS-ND		ON SemiconductorTRANS NPN 50V 0.1A SC59
RoHS: Compliant
Min Qty: 18000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    MSD601-ST1G
    DISTI # MSD601-ST1G    		ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin SC-59 T/R - Bulk (Alt: MSD601-ST1G)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 6250
    Container: Bulk    		Americas - 0
    • 62500:$0.0494
    • 31250:$0.0506
    • 18750:$0.0513
    • 12500:$0.0520
    • 6250:$0.0523
    MSD601-ST1
    DISTI # 863-MSD601-ST1    		ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
    RoHS: Not compliant    		0
      MSD601-ST1G
      DISTI # 863-MSD601-ST1G      		ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN
      RoHS: Compliant      		0
        MSD601-ST1GON SemiconductorSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
        RoHS: Compliant        		1158000
        • 1000:$0.0500
        • 25:$0.0600
        • 100:$0.0600
        • 500:$0.0600
        • 1:$0.0700
        Immagine Parte # Descrizione
        MSD601-RT1G

        Mfr.#: MSD601-RT1G

        OMO.#: OMO-MSD601-RT1G

        		 Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
        MSD601-RT1 SOT23-YR

        Mfr.#: MSD601-RT1 SOT23-YR

        OMO.#: OMO-MSD601-RT1-SOT23-YR-1190

        		 Nuovo e originale
        MSD601-RT1(YR)

        Mfr.#: MSD601-RT1(YR)

        OMO.#: OMO-MSD601-RT1-YR--1190

        		 Nuovo e originale
        MSD601-RT1G , DA4P

        Mfr.#: MSD601-RT1G , DA4P

        OMO.#: OMO-MSD601-RT1G-DA4P-1190

        		 Nuovo e originale
        MSD601R

        Mfr.#: MSD601R

        OMO.#: OMO-MSD601R-1190

        		 Nuovo e originale
        MSD601RT1

        Mfr.#: MSD601RT1

        OMO.#: OMO-MSD601RT1-1190

        		 NPN General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount
        MSD602-RT1

        Mfr.#: MSD602-RT1

        OMO.#: OMO-MSD602-RT1-1190

        		 Bipolar Transistors - BJT 500mA 60V NPN
        MSD602-RT2 , DAD2000

        Mfr.#: MSD602-RT2 , DAD2000

        OMO.#: OMO-MSD602-RT2-DAD2000-1190

        		 Nuovo e originale
        MSD602-TR1

        Mfr.#: MSD602-TR1

        OMO.#: OMO-MSD602-TR1-1190

        		 Nuovo e originale
        MSD602R

        Mfr.#: MSD602R

        OMO.#: OMO-MSD602R-1190

        		 Nuovo e originale
        Disponibilità
        Azione:
        Available
        Su ordine:
        2000
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