PBSS5160QAZ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN-1010D-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 60 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 125 mV

Corrente massima del collettore CC:

- 1.5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

150 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Bobina

Marca:

Nexperia

Corrente continua del collettore:

- 1 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

160 at - 100 mA, - 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

325 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

transistor

Tags

PBSS516, PBSS51, PBSS5, PBSS, PBS