SSM3K345R,LF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23F-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

25 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

400 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

3.6 nC

Temperatura di esercizio minima:

-

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Toshiba

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

45 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

25 ns

Tags

SSM3K34, SSM3K3, SSM3K, SSM3, SSM