2SA1812T100Q

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 400 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 400 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 7 V

Corrente massima del collettore CC:

- 1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

12 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

270

Altezza:

1.5 mm

Lunghezza:

4.5 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

2.5 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Corrente continua del collettore:

- 0.5 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

82

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

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