MMDF2N02ER2G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOIC-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

25 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

100 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.5 mm

Lunghezza:

5 mm

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

4 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

2.6 S

Tempo di caduta:

25 ns, 18 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

35 ns, 17 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

19 ns, 27 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns, 7 ns

Unità di peso:

0.006596 oz

Tags

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