RW1C026ZPT2CR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-563T-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

50 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

10 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

700 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

RW1C026ZP

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

2.2 S

Tempo di caduta:

850 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

290 ns

Quantità confezione di fabbrica:

8000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

2.55 us

Tempo di ritardo di accensione tipico:

170 ns

Parte # Alias:

RW1C026ZP

Unità di peso:

0.000106 oz

Tags

RW1C02, RW1C0, RW1C, RW1