IPD110N12N3GATMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PG-TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

120 V

Id - Corrente di scarico continua:

75 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

11 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

49 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

136 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.3 mm

Lunghezza:

6.5 mm

Serie:

OptiMOS 3

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

42 S

Tempo di caduta:

8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

16 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

24 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

16 ns

Parte # Alias:

G IPD110N12N3 SP001127808

Unità di peso:

0.017284 oz

Tags

IPD110, IPD11, IPD1, IPD