PMBFJ308,215

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

JFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Polarità del transistor:

Canale N

Configurazione:

Separare

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

25 V

Vgs - Tensione di rottura gate-source:

- 25 V

Corrente Drain-Source a Vgs=0:

60 mA

Id - Corrente di scarico continua:

10 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

50 Ohms

Pd - Dissipazione di potenza:

250 mW

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

PMBFJ308

Confezione:

Bobina

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

3 mm

Tipo:

JFET

Larghezza:

1.4 mm

Marca:

Semiconduttori NXP

Transconduttanza diretta - Min:

10 mS

Tensione di interruzione gate-source:

- 6.5 V

Tensione massima della porta di drenaggio:

- 25 V

Quantità confezione di fabbrica:

3000

Parte # Alias:

934008980215

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

PMBFJ308, PMBFJ30, PMBFJ3, PMBFJ, PMBF, PMB