DMN3270UVT-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSOT-26-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

270 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

350 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

5 V, - 500 mV

Qg - Carica cancello:

3.07 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.08 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

674 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

205 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

1470 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

163 ns

Unità di peso:

0.000459 oz

Tags

DMN32, DMN3, DMN