US6M11TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363T-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V, 12 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.5 A, 1.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

180 mOhms, 260 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

1.8 nC, 2.4 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Configurazione:

Dual

Confezione:

Bobina

Serie:

US6M11

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

3 ns, 9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5 ns, 10 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

20 ns, 30 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5 ns, 8 ns

Parte # Alias:

US6M11

Unità di peso:

0.000265 oz

Tags

US6M11T, US6M11, US6M1, US6M, US6