PIMZ2,115

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-457-6

Polarità del transistor:

NPN, PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7 V

Corrente massima del collettore CC:

0.15 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

100 MHz, 190 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

120 at 1 mA, 6 V

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

3.1 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.7 mm

Marca:

Nexperia

Pd - Dissipazione di potenza:

300 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

PIMZ2 T/R

Unità di peso:

0.000384 oz

Tags

PIMZ, PIM