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MR25H40CDFR

MR25H40CDFR
Mfr. #:
MR25H40CDFR
Produttore:
Everspin Technologies
Descrizione:
NVRAM 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
MR25H40CDFR Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
MR25H40CDFR maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Tecnologie Everspin
Categoria di prodotto:
NVRAM
RoHS:
Y
Pacchetto/custodia:
DFN-8
Tipo di interfaccia:
SPI
Dimensione della memoria:
4 Mbit
Organizzazione:
512 k x 8
Larghezza bus dati:
8 bit
Orario di accesso:
25 ns
Tensione di alimentazione - Max:
3.6 V
Tensione di alimentazione - Min:
3 V
Corrente di alimentazione operativa:
46.5 mA
Temperatura di esercizio minima:
- 40 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 85 C
Serie:
MR25H40
Confezione:
Bobina
Marca:
Tecnologie Everspin
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pd - Dissipazione di potenza:
0.6 W
Tipologia di prodotto:
NVRAM
Quantità confezione di fabbrica:
4000
sottocategoria:
Memoria e archiviazione dati
Unità di peso:
0.001319 oz
Tags
MR25H40C, MR25H4, MR25H, MR25, MR2
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ure Electronics
MR25H40 Series 4 Mb 512 k x 8 3 V Serial SPI Surface Mount MRAM -SmallFlag DFN-8
***i-Key
IC RAM 4M SPI 40MHZ 8DFN
Serial SPI MRAMs
Everspin Technologies MR25H256 / MR25H10 /MRH25H128 / MR25H40 SPI Serial MRAM devices offer serial EEPROM and serial Flash compatible read/write timing with no write delays and unlimited read/write endurance. Unlike other serial memories, both reads and writes can occur randomly in memory with no delay between writes. 
Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)
Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) uses a 1 Transistor – 1 Magnetic Tunnel Junction (1T-1MTJ) architecture. These MRAM devices offer significantly long Data Retention (20+ years) and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification.
Everspin MRAM
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
MR25H40CDFR
DISTI # MR25H40CDFR-ND		Everspin TechnologiesIC RAM 4M SPI 40MHZ 8DFN
RoHS: Compliant
Min Qty: 4000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 4000:$11.6375
MR25H40CDF
DISTI # 936-MR25H40CDF		Everspin TechnologiesNVRAM 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
RoHS: Compliant		0
  • 1:$15.4800
  • 10:$14.3400
  • 25:$14.0100
  • 50:$13.9400
  • 100:$12.2700
  • 250:$11.6600
  • 500:$11.5400
MR25H40CDFR
DISTI # 936-MR25H40CDFR		Everspin TechnologiesNVRAM 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
RoHS: Compliant		0
  • 1:$15.8400
  • 10:$14.6700
  • 25:$14.3400
  • 50:$14.2600
  • 100:$12.5600
  • 250:$11.9400
  • 500:$11.8100
  • 1000:$11.6400
  • 4000:$11.1000
Immagine Parte # Descrizione
MR25H00-EVAL

Mfr.#: MR25H00-EVAL

OMO.#: OMO-MR25H00-EVAL

 Memory IC Development Tools SPI MRAM EVAL BOARD
MR25H256AMDF

Mfr.#: MR25H256AMDF

OMO.#: OMO-MR25H256AMDF

 NVRAM 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI
MR25H256ACDFR

Mfr.#: MR25H256ACDFR

OMO.#: OMO-MR25H256ACDFR

 NVRAM 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI
MR25H256CDCR

Mfr.#: MR25H256CDCR

OMO.#: OMO-MR25H256CDCR

 NVRAM 256Kb 3V 32Kx8 Serial MRAM
MR25H128AMDFR

Mfr.#: MR25H128AMDFR

OMO.#: OMO-MR25H128AMDFR

 NVRAM 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
MR25H10MDCR

Mfr.#: MR25H10MDCR

OMO.#: OMO-MR25H10MDCR-EVERSPIN-TECHNOLOGIES

 NVRAM 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM
MR25H40CDCR

Mfr.#: MR25H40CDCR

OMO.#: OMO-MR25H40CDCR-EVERSPIN-TECHNOLOGIES

 NVRAM 4Mb 3V 512Kx8 Serial MRAM
MR25H10CDC

Mfr.#: MR25H10CDC

OMO.#: OMO-MR25H10CDC-EVERSPIN-TECHNOLOGIES

 NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM
MR25H256MDF

Mfr.#: MR25H256MDF

OMO.#: OMO-MR25H256MDF-EVERSPIN-TECHNOLOGIES

 NVRAM 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI
MR25H40CDF

Mfr.#: MR25H40CDF

OMO.#: OMO-MR25H40CDF-EVERSPIN-TECHNOLOGIES

 NVRAM 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
Disponibilità
Azione:
Available
Su ordine:
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