BUL642D2G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

440 V

Collettore-tensione di base VCBO:

825 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

11 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.5 V

Corrente massima del collettore CC:

11 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

13 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Altezza:

9.28 mm (Max)

Lunghezza:

10.28 mm (Max)

Larghezza:

4.82 mm (Max)

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

3 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

16

Pd - Dissipazione di potenza:

75 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

BUL6, BUL