DMP1009UFDF-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

U-DFN2020-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

12 V

Id - Corrente di scarico continua:

11 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

8.3 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

44 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

61 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

62.2 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7 ns

Unità di peso:

0.000247 oz

Tags

DMP100, DMP10, DMP1, DMP