CEDM8004VL TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-883VL

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

450 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

880 pC

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

100 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.32 mm

Lunghezza:

1.05 mm

Prodotto:

MOSFET

Serie:

CEDM80

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

0.65 mm

Marca:

Semiconduttore centrale

Transconduttanza diretta - Min:

200 mS

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

8000

sottocategoria:

MOSFET

Parte # Alias:

CEDM8004VL PBFREE TR

Tags

CEDM8004, CEDM8, CEDM, CED