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SIR770DP-T1-GE3

SIR770DP-T1-GE3
Mfr. #:
SIR770DP-T1-GE3
Produttore:
Vishay
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
SIR770DP-T1-GE3 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
SIR770DP-T1-GE3 maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
VISHAY
categoria di prodotto
FET - Array
Serie
TrinceaFETR
Confezione
Nastro e bobina (TR)
Alias ​​parziali
SIR770DP-GE3
Unità di peso
0.017870 oz
Stile di montaggio
SMD/SMT
Pacchetto-Custodia
PowerPAKR SO-8 Dual
Tecnologia
si
Temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale
Numero di canali
2 Channel
Pacchetto-dispositivo-fornitore
PowerPAKR SO-8 Dual
Configurazione
Dual
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Potenza-Max
17.8W
Tipo a transistor
2 N-Channel
Drain-to-Source-Voltage-Vdss
30V
Ingresso-Capacità-Ciss-Vds
900pF @ 15V
Funzione FET
Porta livello logico
Corrente-Continuo-Scarico-Id-25°C
8A
Rds-On-Max-Id-Vgs
21 mOhm @ 8A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2.8V @ 250μA
Gate-Carica-Qg-Vgs
21nC @ 10V
Pd-Power-Dissipazione
17.8 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Vgs-Gate-Source-Voltage
+/- 20 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
8 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Vgs-th-Gate-Sorgente-Soglia-Tensione
1.2 V to 2.8 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
17.5 mOhms
Polarità del transistor
Canale N
Qg-Gate-Carica
14 nC
Transconduttanza diretta-Min
31 S
Tags
SIR770D, SIR770, SIR77, SIR7, SIR
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
SiR770DP Series 30 V 0.021 Ohm SMT Dual N-Channel MOSFET - PowerPAK SO-8
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin PowerPAK SO T/R
***ment14 APAC
MOSFET,NN CH,SC DIO,30V,8A,PPAKS08; Transistor Polarity:N Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.8V; Power Dissipation Pd:3.6W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:8A; Drain Source Voltage Vds:30V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on):17500µohm; Power Dissipation Pd:3.6W
Integrated MOSFET Solutions
Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density, increase efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. 
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
SIR770DP-T1-GE3
DISTI # SIR770DP-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		On Order
  • 3000:$0.5236
SIR770DP-T1-GE3
DISTI # SIR770DP-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		Temporarily Out of Stock
  • 1000:$0.5778
  • 500:$0.7319
  • 100:$0.9438
  • 10:$1.1940
  • 1:$1.3500
SIR770DP-T1-GE3
DISTI # SIR770DP-T1-GE3DKR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		Temporarily Out of Stock
  • 1000:$0.5778
  • 500:$0.7319
  • 100:$0.9438
  • 10:$1.1940
  • 1:$1.3500
SIR770DP-T1-GE3
DISTI # SIR770DP-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin PowerPAK SO T/R (Alt: SIR770DP-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tape and Reel		Europe - 0
  • 1:€1.0309
  • 10:€0.7389
  • 25:€0.5999
  • 50:€0.5299
  • 100:€0.5219
  • 500:€0.5139
  • 1000:€0.5069
SIR770DP-T1-GE3
DISTI # SIR770DP-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SIR770DP-T1-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 3000:$0.4939
  • 6000:$0.4799
  • 12000:$0.4599
  • 18000:$0.4469
  • 30000:$0.4349
SIR770DP-T1-GE3
DISTI # 781-SIR770DP-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
RoHS: Compliant		0
  • 1:$1.1900
  • 10:$0.9800
  • 100:$0.7520
  • 500:$0.6470
  • 1000:$0.5670
SIR770DP-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
RoHS: Compliant		Americas -
    Immagine Parte # Descrizione
    SIR770DP-T1-GE3

    Mfr.#: SIR770DP-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SIR770DP-T1-GE3

    		 MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
    SIR770DP

    Mfr.#: SIR770DP

    OMO.#: OMO-SIR770DP-1190

    		 Nuovo e originale
    SIR770DP-T1-E3

    Mfr.#: SIR770DP-T1-E3

    OMO.#: OMO-SIR770DP-T1-E3-1190

    		 Nuovo e originale
    SIR770DP-T1-GE3

    Mfr.#: SIR770DP-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SIR770DP-T1-GE3-VISHAY

    		 MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
    Disponibilità
    Azione:
    Available
    Su ordine:
    2000
    Inserisci la quantità:
    Il prezzo attuale di SIR770DP-T1-GE3 è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
    Prezzo di riferimento (USD)
    Quantità
    Prezzo unitario
    est. Prezzo
    1
    0,65 USD
    0,65 USD
    10
    0,62 USD
    6,20 USD
    100
    0,59 USD
    58,71 USD
    500
    0,55 USD
    277,25 USD
    1000
    0,52 USD
    521,90 USD
    A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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