2N3767

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-66-2

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

80 V

Collettore-tensione di base VCBO:

100 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2.5 V

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

10 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Serie:

2N3767

Guadagno di corrente CC hFE Max:

160 at 500 mA, 5 V

Confezione:

Tubo

Marca:

Semiconduttore centrale

Corrente continua del collettore:

4 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

20 at 1 A, 10 V

Pd - Dissipazione di potenza:

25 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2N3767 PBFREE

Tags

2N376, 2N37, 2N3