STB14NM50N

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

500 V

Id - Corrente di scarico continua:

12 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

900 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

2 V

Qg - Carica cancello:

42 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

90 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

MDmesh

Confezione:

Bobina

Serie:

STB14NM50N

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza MDmesh II

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

32 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

9 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

12 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

15 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

STB14NM, STB14N, STB14, STB1, STB