RF4C100BCTCR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

HUML2020L-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

10 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

15.6 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

500 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

23.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

86 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

43 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

110 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

16 ns

Parte # Alias:

RF4C100BC

Tags

RF4C10, RF4C1, RF4C, RF4