LND150N3-G-P002

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

500 V

Id - Corrente di scarico continua:

30 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1 kOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

740 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

esaurimento

Confezione:

Bobina

Altezza:

5.33 mm

Lunghezza:

5.21 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.19 mm

Marca:

Tecnologia a microchip

Tempo di caduta:

1300 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

450 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

100 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

90 ns

Unità di peso:

0.016000 oz

Tags

LND150N3-G-P, LND150N3-G, LND150N3, LND150N, LND150, LND15, LND1, LND