D3S380N65E-T

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

D3 Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

8.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

380 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

15.4 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

62 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

D3

Tempo di caduta:

21 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

20 ns

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

35 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10.5 ns

Tags

D3S3, D3S