SI7686DP-T1-GE3

SI7686DP-T1-GE3
Mfr. #:
SI7686DP-T1-GE3
Produttore:
Vishay
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
SI7686DP-T1-GE3 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
VISHAY
categoria di prodotto
FET - Single
Confezione
Bobina
Alias ​​parziali
SI7686DP-GE3
Unità di peso
0.017870 oz
Stile di montaggio
SMD/SMT
Pacchetto-Custodia
SO-8
Tecnologia
si
Numero di canali
1 Channel
Configurazione
Separare
Tipo a transistor
1 N-Channel
Pd-Power-Dissipazione
5 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Tempo di caduta
8 ns
Ora di alzarsi
20 ns 16 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
20 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
17.9 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
9.5 mOhms
Polarità del transistor
Canale N
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
20 ns 23 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
20 ns 13 ns
Modalità canale
Aumento
Tags
SI7686DP-T1, SI7686DP-T, SI7686DP, SI7686D, SI7686, SI768, SI76, SI7
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 17.9A 8-Pin PowerPAK SO T/R
***C
Trans MOSFET N-CH 30V 17.9A 8-Pin PowerPAK SO
***nell
N CHANNEL MOSFET, 30V, 35A, SOIC
***i-Key
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
***ark
MOSFET TRANSISTOR; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:35A; On Resistance, Rds(on):0.014ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V ;RoHS Compliant: Yes
***ment14 APAC
N CHANNEL MOSFET, 30V, 35A, SOIC; Transi; N CHANNEL MOSFET, 30V, 35A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):14mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; No. of Pins:8
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
SI7686DP-T1-GE3
DISTI # SI7686DP-T1-GE3CT-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)
2983In Stock
  • 1000:$0.8378
  • 500:$1.0112
  • 100:$1.3001
  • 10:$1.6180
  • 1:$1.7900
SI7686DP-T1-GE3
DISTI # SI7686DP-T1-GE3DKR-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®
2983In Stock
  • 1000:$0.8378
  • 500:$1.0112
  • 100:$1.3001
  • 10:$1.6180
  • 1:$1.7900
SI7686DP-T1-GE3
DISTI # SI7686DP-T1-GE3TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 3000:$0.7573
SI7686DP-T1-GE3
DISTI # SI7686DP-T1-GE3
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17.9A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SI7686DP-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel
Americas - 0
  • 3000:$0.6579
  • 6000:$0.6379
  • 12000:$0.6119
  • 18000:$0.5949
  • 30000:$0.5789
SI7686DP-T1-GE3
DISTI # 26R1934
Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 30V, 35A, SOIC,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:35A,Drain Source Voltage Vds:30V,On Resistance Rds(on):14mohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V,Threshold Voltage Vgs:3V,No. of Pins:8Pins , RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$1.5900
  • 25:$1.3100
  • 50:$1.1600
  • 100:$1.0000
  • 250:$0.9300
  • 500:$0.8600
  • 1000:$0.6790
SI7686DP-T1-GE3
DISTI # 33P5422
Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 30V, 35A, SOIC,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:35A,Drain Source Voltage Vds:30V,On Resistance Rds(on):14mohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V,Threshold Voltage Vgs:3V,No. of Pins:8Pins , RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$0.7550
  • 3000:$0.7500
  • 6000:$0.7140
  • 12000:$0.6330
SI7686DP-T1-GE3
DISTI # 781-SI7686DP-T1-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V
RoHS: Compliant
5985
  • 1:$1.5900
  • 10:$1.3100
  • 100:$1.0000
  • 500:$0.8600
  • 1000:$0.6790
  • 3000:$0.6340
  • 6000:$0.6020
  • 9000:$0.5790
SI7686DP-T1-GE3
DISTI # 1871384
Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 30V, 35A, SOIC
RoHS: Compliant
0
  • 3000:£0.6010
SI7686DP-T1-GE3
DISTI # 1871384
Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 30V, 35A, SOIC
RoHS: Compliant
0
  • 1:$2.5200
  • 10:$2.0700
  • 100:$1.5900
  • 500:$1.3700
  • 1000:$1.0800
  • 3000:$1.0100
  • 6000:$0.9530
  • 9000:$0.9390
Immagine Parte # Descrizione
SI7686DP-T1-E3

Mfr.#: SI7686DP-T1-E3

OMO.#: OMO-SI7686DP-T1-E3

MOSFET 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V
SI7686DP-T1-E3-CUT TAPE

Mfr.#: SI7686DP-T1-E3-CUT TAPE

OMO.#: OMO-SI7686DP-T1-E3-CUT-TAPE-1190

Nuovo e originale
SI7686DN

Mfr.#: SI7686DN

OMO.#: OMO-SI7686DN-1190

Nuovo e originale
SI7686DP

Mfr.#: SI7686DP

OMO.#: OMO-SI7686DP-1190

Nuovo e originale
SI7686DP-T1

Mfr.#: SI7686DP-T1

OMO.#: OMO-SI7686DP-T1-1190

Nuovo e originale
SI7686DP-T1-E3

Mfr.#: SI7686DP-T1-E3

OMO.#: OMO-SI7686DP-T1-E3-VISHAY

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
SI7686DP-T1-GE3

Mfr.#: SI7686DP-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI7686DP-T1-GE3-VISHAY

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
SI7686DP-T1-GP

Mfr.#: SI7686DP-T1-GP

OMO.#: OMO-SI7686DP-T1-GP-1190

Nuovo e originale
SI7686DP-TI

Mfr.#: SI7686DP-TI

OMO.#: OMO-SI7686DP-TI-1190

Nuovo e originale
SI7686DP-TI-E3

Mfr.#: SI7686DP-TI-E3

OMO.#: OMO-SI7686DP-TI-E3-1190

Nuovo e originale
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Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
0,87 USD
0,87 USD
10
0,82 USD
8,25 USD
100
0,78 USD
78,15 USD
500
0,74 USD
369,05 USD
1000
0,69 USD
694,70 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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