NTB35N15G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

150 V

Id - Corrente di scarico continua:

37 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

50 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

178 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

4.83 mm

Lunghezza:

10.29 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

9.65 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

26 S

Tempo di caduta:

120 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

125 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

90 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

20 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

NTB35, NTB3, NTB