CSD19532KTTT

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

200 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

5.6 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.6 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

44 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

250 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

NexFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

19.7 mm

Lunghezza:

9.25 mm

Prodotto:

MOSFET di potenza

Serie:

CSD19532KTT

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET a canale N

Larghezza:

10.26 mm

Marca:

Texas Instruments

Tempo di caduta:

2 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

14 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9 ns

Unità di peso:

0.068643 oz

Tags

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