PBSS4140DPN,115

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSOP-6

Polarità del transistor:

NPN, PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

40 V

Collettore-tensione di base VCBO:

40 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

150 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

300 at 500 mA, 5 V

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

3.1 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.7 mm

Marca:

Nexperia

Guadagno base/collettore DC hfe min:

300 at 500 mA, 5 V at NPN, 200 at 1 A, 5 V at NPN, 300 at 100 mA, 5 V at PNP, 250 at 500 mA, 5 V at PNP

Pd - Dissipazione di potenza:

370 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

PBSS4140DPN T/R

Unità di peso:

0.000705 oz

Tags

PBSS4140DPN,1, PBSS4140D, PBSS414, PBSS41, PBSS4, PBSS, PBS