BUT12ATU

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

450 V

Collettore-tensione di base VCBO:

1 kV

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.5 V

Corrente massima del collettore CC:

8 A

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Altezza:

9.4 mm (Max)

Lunghezza:

10.1 mm (Max)

Confezione:

Tubo

Larghezza:

4.7 mm (Max)

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente continua del collettore:

8 A

Pd - Dissipazione di potenza:

100 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.080072 oz

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BUT12A, BUT12, BUT1, BUT