IXTA160N04T2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

160 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Qg - Carica cancello:

79 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

250 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Tubo

Prodotto:

TrenchT2

Serie:

IXTA160N04

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

TrenchT2 Power MOSFET

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

38 S, 62 S

Tempo di caduta:

16 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

27 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

19 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns

Unità di peso:

0.081130 oz

Tags

IXTA160N0, IXTA160, IXTA16, IXTA1, IXTA, IXT