FSB649

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SuperSOT-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

25 V

Collettore-tensione di base VCBO:

35 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

600 mV

Corrente massima del collettore CC:

3 A

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

FSB649

Guadagno di corrente CC hFE Max:

300

Altezza:

1.5 mm

Lunghezza:

2.92 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.4 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente continua del collettore:

3 A

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.001058 oz

Tags

FSB64, FSB6, FSB