STGW45NC60VD

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

600 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2.4 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

90 A

Pd - Dissipazione di potenza:

270 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

STGW45NC60VD

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

90 A

Altezza:

21.09 mm

Lunghezza:

16.03 mm

Larghezza:

5.16 mm

Marca:

STMicroelectronics

Corrente di dispersione gate-emettitore:

100 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

IGBT

Unità di peso:

1.340411 oz

Tags

STGW45, STGW4, STGW, STG