DXT2013P5-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerDI-5

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 100 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 140 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 340 mV

Corrente massima del collettore CC:

- 10 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

125 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

DXT201

Confezione:

Bobina

Marca:

Diodi incorporati

Corrente continua del collettore:

- 5 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

5 at - 10 A, - 1 V

Pd - Dissipazione di potenza:

740 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.003386 oz

Tags

DXT20, DXT2, DXT