IXTA1N200P3HV

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

2 kV

Id - Corrente di scarico continua:

1 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

40 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

23.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

125 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

400 mS

Tempo di caduta:

80 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

26 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

37 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

16 ns

Unità di peso:

0.052911 oz

Tags

IXTA1N, IXTA1, IXTA, IXT