5LN01SP

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

SC-72-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

50 V

Id - Corrente di scarico continua:

100 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

10 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

1.57 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

250 mW

Configurazione:

Separare

Confezione:

Massa

Serie:

5LN01SP

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

0.18 S

Tempo di caduta:

105 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

42 ns

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

190 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

18 ns

Unità di peso:

0.016000 oz

Tags

5LN01SP, 5LN01S, 5LN01, 5LN