FDS7788

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

18 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.75 mm

Lunghezza:

4.9 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

3.9 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

112 S

Tempo di caduta:

36 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

13 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

62 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

15 ns

Parte # Alias:

FDS7788_NL

Unità di peso:

0.002998 oz

Tags

FDS778, FDS77, FDS7, FDS