2STR1160

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

60 V

Collettore-tensione di base VCBO:

60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

1 A

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2STR1160

Guadagno di corrente CC hFE Max:

180 at 500 mA, 2 V

Altezza:

1.3 mm

Lunghezza:

3.04 mm

Larghezza:

1.6 mm

Marca:

STMicroelectronics

Guadagno base/collettore DC hfe min:

180 at 500 mA, 2 V, 85 at 1 A, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

2STR11, 2STR1, 2STR, 2ST