NIF9N05CLT3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

52 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

107 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

15 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.69 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.57 mm

Lunghezza:

6.5 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

3.5 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

3.8 S

Tempo di caduta:

1418 ns, 1165 ns, 290 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

1418 ns, 1165 ns, 290 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

780 ns, 906 ns, 1540 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

275 ns, 242 ns, 107 ns

Unità di peso:

0.008818 oz

Tags

NIF9N05CLT, NIF9N05C, NIF9, NIF