IRGSL15B60KDPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-262-3

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

600 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2.2 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

31 A

Pd - Dissipazione di potenza:

139 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

31 A

Altezza:

9.65 mm

Lunghezza:

10.67 mm

Larghezza:

4.83 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

SP001546378

Unità di peso:

0.073511 oz

Tags

IRGSL1, IRGSL, IRGS, IRG