RFD12N06RLESM9A

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

17 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

75 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

16 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

49 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.39 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Serie:

RFD12N06RLESM

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tempo di caduta:

37 ns, 50 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

89 ns, 34 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

22 ns, 41 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

13 ns, 5.3 ns

Parte # Alias:

RFD12N06RLESM9A_NL

Unità di peso:

0.009184 oz

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