TK160F10N1L,LQ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-220SMW-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

160 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

122 nC

Temperatura di esercizio minima:

-

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

375 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

TK160F10N1L

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Toshiba

Tempo di caduta:

40 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

22 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

140 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

42 ns

Unità di peso:

0.063493 oz

Tags

TK160F10N1L, TK160F, TK160, TK16, TK1