BUK7K89-100EX

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

LFPAK56D-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

13 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

61 mOhms, 61 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

13.6 nC, 13.6 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

38 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Nexperia

Tempo di caduta:

7.3 ns, 7.3 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5.9 ns, 5.9 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

12 ns, 12 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.6 ns, 4.6 ns

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