IRF6712STRPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DirectFET-SQ

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

25 V

Id - Corrente di scarico continua:

17 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

6.7 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.9 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

12 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.2 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

DirectFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.7 mm

Lunghezza:

4.85 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

3.95 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

40 S

Tempo di caduta:

12 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

40 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

14 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11 ns

Parte # Alias:

SP001529206

Tags

IRF6712, IRF671, IRF67, IRF6, IRF