STL8N6F7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerFLAT-3.3x3.3-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

36 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

19 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

60 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

STRIPFET

Serie:

STL8N6F7

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

3.95 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3.25 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

12.1 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.85 ns

Tags

STL8N6, STL8N, STL8, STL