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FJN3306RTA

FJN3306RTA
Mfr. #:
FJN3306RTA
Produttore:
ON Semiconductor / Fairchild
Descrizione:
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Si Transistor Epitaxial
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
FJN3306RTA Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
ON Semiconductor
Categoria di prodotto:
Transistor bipolari - Pre-polarizzati
RoHS:
Y
Configurazione:
Separare
Polarità del transistor:
NPN
Resistenza di ingresso tipica:
10 kOhms
Rapporto resistore tipico:
0.21
Stile di montaggio:
Foro passante
Pacchetto/custodia:
TO-92-3 Kinked Lead
Guadagno base/collettore DC hfe min:
68
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:
50 V
Corrente continua del collettore:
0.1 A
Corrente di picco del collettore CC:
100 mA
Pd - Dissipazione di potenza:
300 mW
Temperatura di esercizio minima:
- 55 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Confezione:
Pacchetto munizioni
Guadagno di corrente CC hFE Max:
68
Emettitore-tensione di base VEBO:
10 V
Altezza:
5.33 mm
Lunghezza:
5.2 mm
Tipo:
Transistor epitassiale al silicio NPN
Larghezza:
4.19 mm
Marca:
ON Semiconductor / Fairchild
Tipologia di prodotto:
BJT - Transistor bipolari - Prepolarizzati
Quantità confezione di fabbrica:
2000
sottocategoria:
transistor
Unità di peso:
0.010088 oz
Tags
FJN330, FJN33, FJN3, FJN
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***et
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
FJN3306RTA
DISTI # FJN3306RTA-ND		ON SemiconductorTRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 16000
Container: Tape & Box (TB)		Limited Supply - Call
    FJN3306RTAFairchild Semiconductor CorporationSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
    RoHS: Compliant    		35000
    • 100:$0.0100
    • 500:$0.0100
    • 1000:$0.0100
    • 1:$0.0200
    • 25:$0.0200
    FJN3306RTA
    DISTI # 512-FJN3306RTA    		ON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Si Transistor Epitaxial
    RoHS: Compliant    		0
      Immagine Parte # Descrizione
      FJN3305RTA

      Mfr.#: FJN3305RTA

      OMO.#: OMO-FJN3305RTA

      		 Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Si Transistor Epitaxial
      FJN3310RTA

      Mfr.#: FJN3310RTA

      OMO.#: OMO-FJN3310RTA

      		 Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Si Transistor Epitaxial
      FJN3314RBU

      Mfr.#: FJN3314RBU

      OMO.#: OMO-FJN3314RBU-ON-SEMICONDUCTOR

      		 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
      FJN3301

      Mfr.#: FJN3301

      OMO.#: OMO-FJN3301-1190

      		 Nuovo e originale
      FJN3302

      Mfr.#: FJN3302

      OMO.#: OMO-FJN3302-1190

      		 Nuovo e originale
      FJN3302RBU

      Mfr.#: FJN3302RBU

      OMO.#: OMO-FJN3302RBU-ON-SEMICONDUCTOR

      		 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
      FJN3303BU

      Mfr.#: FJN3303BU

      OMO.#: OMO-FJN3303BU-ON-SEMICONDUCTOR

      		 TRANS NPN 400V 1.5A TO-92
      FJN3304RBU

      Mfr.#: FJN3304RBU

      OMO.#: OMO-FJN3304RBU-ON-SEMICONDUCTOR

      		 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
      FJN3309RTA

      Mfr.#: FJN3309RTA

      OMO.#: OMO-FJN3309RTA-ON-SEMICONDUCTOR

      		 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
      FJN3310RBU

      Mfr.#: FJN3310RBU

      OMO.#: OMO-FJN3310RBU-ON-SEMICONDUCTOR

      		 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
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      Azione:
      Available
      Su ordine:
      4000
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