FQD1N80TM

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

800 V

Id - Corrente di scarico continua:

1 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

20 Ohms

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.39 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Serie:

FQD1N80

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

0.75 S

Tempo di caduta:

25 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

25 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

15 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns

Parte # Alias:

FQD1N80TM_NL

Unità di peso:

0.009171 oz

Tags

FQD1N80TM, FQD1N80T, FQD1N8, FQD1N, FQD1, FQD