BSZ096N10LS5ATMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSDSON-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

40 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

9.6 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

22 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

69 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

3.3 mm

Serie:

OptiMOS 5

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

3.3 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

22 S

Kit di sviluppo:

EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7

Tempo di caduta:

5.3 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

21 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.7 ns

Parte # Alias:

BSZ096N10LS5 SP001352994

Unità di peso:

0.001295 oz

Tags

BSZ09, BSZ0, BSZ