FQU2N90TU-WS

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-251-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

900 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

7.2 Ohms

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

6.3 mm

Lunghezza:

6.8 mm

Serie:

FQU2N90

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

2.5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tempo di caduta:

30 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

35 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5040

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

20 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

15 ns

Parte # Alias:

FQU2N90TU_WS

Unità di peso:

0.012102 oz

Tags

FQU2N90TU-W, FQU2N90T, FQU2N9, FQU2N, FQU2, FQU